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半导体参数测试仪产品列表

相关厂商：三航北无仪美国IST

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半导体分立器件测试仪ICT2900

报价：260000

30 pA 漏电流测量分辨率

可控硅综合参数测试仪HB2931B

报价：16500

通态峰值电压VTM测量范围:0~5V 误差≤+5%;通态峰值电流ITM测量范围:0~20A 误差≤+5%;

截止电流反向击穿电压测试仪BJ2900A

报价：9500

200nA 0—199.9nA 0.1nA ±3%满度值±4个字

晶体管测试仪BJ2923

报价：面议

电流源Icc0-2A70--2uA0nAIbb0--500mA70--200nA100PA

闸流晶体管参数测试仪BJ2948

报价：面议

可测试VGT,IGT,IH,VT(av),IT(av)VTM,ITM及断态反向等共17个参数

场效应管测试仪BJ2922A

报价：面议

可测gm,Vp，Idss

稳压二极管测试仪BJ2912B

报价：面议

可测量IN746~IN986系列，2CW，2DW，系列

智能化晶体管开关参数测试仪BJ2961A

报价：68000

测量范围：由5nS至500 nS.

二极管反向恢复时间测试仪BJ2962

报价：68000

频率：20KHZ 误差：正负5%

三极管正偏二次击穿测试仪BJ2983

报价：56000

测试功率：0~750W（100V，5A或300V，2.5V)

三极管瞬态热阻测试仪BJ2984

报价：56000

测量对被测管施加1ms~1s的单次功率脉冲前后Vbe的变化

晶体管直流脉冲开关安全工作区测试仪BJ2986

报价：98000

检测计量晶体管在规定条件下的直流

MOS场效应管瞬态热阻测试仪BJ2989

报价：78000

可测试0—750WN沟道及P沟道大功率MOS场效应管的瞬态热阻

MOS场效应管测试仪BJ2990

报价：58000

可测试N沟道及P沟道大功率MOS场效应管的VGS(th)、RDS(on)及ID为0—10A时的跨导gm等主要技术参数

晶体管反向截止电流测试仪JS-2D

报价：面议

反向截止电流ICEO、ICBO、IEBO、ICES、ICER、ICEX测量范围及误差

二极管反向漏电流测义JS-2G

报价：7300

测试二极管及任何二端器件

高频小功率晶体管ft测试仪FT

报价：29500

100-1000MHz200-2000MHz10-100MHz30-300MHz400-4000MHz

美国分立半导体器件综合测试仪IST8800

报价：面议

可用于对晶体三极管，二极管，齐纳二极管

IST8800综合测试仪IST8800

报价：面议

可测J MOS型场效应管.三极管.二极管.齐纳管.

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